熱酸化によるn型4H-SiCの深い準位の削減とキャリアの寿命の改善

熱酸化によるn型4H-SiC(0001)エピレイヤーの主要な深い準位の大幅な削減が示されています。エピレイヤーを1150–1300 °Cで熱酸化することにより、Z1/2およびEH6/7センターの濃度は(0.3–2)×1013 cm-3から検出限界(1×1011 cm-3)未満に低下しました。Z1/2センターの深さプロファイル分析により、1300 °Cで5時間熱酸化した後、Z1/2センターは表面から約50 µmの深さで除去されることが明らかになりました。差動マイクロ波フォトコンダクタンス減衰法によって計測されたn型4H-SiCエピレイヤーのキャリア寿命は、0.73 µs（成長時）から1.62 µs（酸化後：1300 °C、5時間×2）に大幅に改善されました。Z1/2およびEH6/7センターの削減メカニズムについても議論されています。