超コンパクト、低RF出力、10 Gb/s シリコンマッハ・ツェンダー変調器

シリコン p(+)-i-n(+) ダイオードマッハ・ツェンダー電気光学変調器が100から200μmの超コンパクトな長さで提示されます。これらのデバイスは高い変調効率を示し、V(pi)Lの評価指標は0.36 V-mmです。データレート10 Gb/sまでの光変調が、わずか5 pJ/ビットの低RF消費電力で実証されています。