Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜における電圧制御型フェロエラスティックスイッチング

我々は、ピエゾ応答フォース顕微鏡技術を用いて、典型的な強誘電体Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜において、周囲のcドメインマトリックスの同時的な強誘電180°スイッチングなしに、a軸方向に整列した約10 nm幅のフェロエラスティックナノドメインの電圧制御可能な可逆的な生成と消失を報告します。以前の研究では、強誘電体スイッチングとフェロエラスティック回転の結合的な性質により、フェロエラスティックドメインウォールの動きの根底にある物理的現象を区別することが困難でした。強誘電体とフェロエラスティックスイッチングに対する明確な閾値の観察により、フェロエラスティックスイッチングをクリーンに調査し、フェロエラスティックドメインに対するナノスケールの新たな制御の度合いを示すことができます。