MOCVD成長Al0.5In0.5P–Ga0.5In0.5P二重ヘテロ構造レーザーを90 Kで光的にポンプした

ドーピングされていないAl 0.5 In 0.5 P–Ga 0.5 In 0.5 P二重ヘテロ構造が、(100) GaAs上に金属有機化学蒸着によって初めて成長された。鏡のような成長した表面が得られた。サンドイッチ状のGa 0.5 In 0.5 P層から得られたフォトルミネッセンス強度は、(100) GaAs上の単一エピタキシャル成長Ga 0.5 In 0.5 P層からのものより十倍以上強かった。これは、高品質のAl 0.5 In 0.5 P–Ga 0.5 In 0.5 Pヘテロインターフェースが二重ヘテロ構造内に形成されていることを示している。91 Kでアルゴンイオンレーザーによる光的ポンピングによって、二重ヘテロ構造でレーザ動作が観察された。観察された刺激放出波長は6470 Åであった。