レーザーコヒーレンスなしの干渉制御：分子フォトジソシエーション

フォトジソシエーションにおけるチャネル特異的な線形状および分岐比の制御は、相対位相が明確である必要がない2つの強いCWレーザーで分子を照射することによって達成可能であることが示されています。制御は、強い電場によって誘導される非線形経路間の量子干渉によって生じ、その中で相対レーザー位相がキャンセルされます。この干渉、したがって生成物の収率は、2つのレーザーの相対周波数と強度を変えることで操作できます。本論文では、高場制御の理論を展開し、Na2のフォトジソシエーションに関する計算結果を示します。生成物の収率に対する制御は広範であることが示されており、回転状態を含めても同様です。たとえば、Na(3s)+Na(3p)とNa(3s)+Na(4s)生成物間の分岐比は、周波数が調整されると10倍も変化することがあります。