高密度静電キャリアドーピングを持つポリマーゲル電解質を用いた有機単結晶トランジスタ

高密度のキャリア蓄積がAu∕ポリマーゲル電解質∕ルブレン結晶∕SiO2∕ドープSiデュアルゲートトランジスタにおいて実証され、ポリマーゲル内に電気二重層が形成される。ポリマーゲル電解質に1.2Vをかけるだけで、ルブレン単結晶の導電性が劇的に向上し、電場誘起キャリア密度は約5×10^13 cm−2に達する。同一デバイスチャネルのデュアルゲートトランジスタの転送特性を直接比較した結果、達成されたドープレベルは有機結晶の反対側にあるSiO2ベースのトランジスタの最大値を超えていることが示された。