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MoS(2)やSnS(2)のような層状二次元（2D）半導体は、次世代の電子/フォトニック応用に対する技術的重要性から集中的に注目されています。我々は、シードエンジニアリングを用いた化学蒸着によるチップ上の所定の位置でのSnS(2)の薄い結晶配列の制御合成に関する新しいアプローチを報告し、光電流応答時間が約5μsの高速フォトデテクターとしての応用を実証しました。これは、集積型ナノエレクトロニクス/フォトニックシステムへの応用に重要な層状2D半導体デバイスの大規模生産への道を開きます。
Su et al.（水曜日）はこの問題を研究しました。