複素誘電率を使用したヒト脳神経細胞における特定吸収率（SAR）の計算

外部電磁放射がヒト脳に与える影響は、周波数依存性の複素誘電率の数値計算によって調査されてきた。ホジキン・ハクスリー神経モデルを使用して、神経細胞膜の複素誘電率に基づく脳神経細胞における電磁パワー吸収の計算のための解析的方法を提案する。ヒトの頭部の影響は、前方および後方に伝播する電磁波の計算を通じて考慮される。修正された時間依存性のホジキン・ハクスリー方程式を使用して、細胞膜における外部刺激の反射率と透過率を取得する。ヒトの頭部によって吸収されるエネルギー量は、電磁吸収率の形で提示される。