量子ドット原子の単一電子チャージ

直径が100nm未満の場効果で制約された量子ドットの配列が、AlₗGa₁-ₗAs-GaAsヘテロ構造を出発点にして準備されました。遠赤外分光法では、2meV間隔の量子レベル間の遷移を誘導します。ゲート電圧依存性の統合吸収強度における離散的なステップを観察し、N=1、2、3、4の電子による各ドットの逐次的な占有を直接示しています。ゲート電圧の依存性から、約15meVのクーロンチャージエネルギーを推定できます。また、非常に細かいスケールでは、量子ドット原子の励起に対するスペクトルの微細構造も観察します。