多孔層を持つn型Siの表面修飾の光電化学的効果

半導体の表面修飾が光電化学的特性に与える影響が、n型Si基板上に形成された多孔Si層（PSL）について実験的かつ詳細に研究された。この電極の挙動は、水性電解質中での光陰極電流が運転の初期段階でかなり増加するという事実によって特徴づけられる。界面インピーダンス測定の結果から、この挙動を説明するモデルが提案される。このモデルによれば、光電流の初期の増加は、光陰極酸化に伴う電解質のPSLへの浸透によるものである。運転前に酸化されたPSLの特性と、非水性電解質中で運転されたPSLの特性は、このモデルと一致している。