ヒト毛細血管内皮細胞における内向き整流電流の二価イオンブロックと安静膜電位への影響

培養ヒト毛細血管内皮細胞（HCEC）は、大きな内向き整流電流 IK(IR)を含み、この電流は外部K+を除去するか、50μMのBa2+を添加することで消失します。2. IK(IR)はHCECの過分極電位（-60.6±0.5 mV, n=83）を維持する役割を果たしていることを示します。50μMのBa2+でIK(IR)をブロックすると、ゼロ電流レベルがシフトし、HCECが36.5±1.3 mV（n=4）脱分極します。3. 外部Ca2+濃度（Ca2+o）を0.5から7 mMに増加させると、IK(IR)の大きさが36.5±2.3%（n=5）減少し、細胞が10.33±2.4 mV（n=3）脱分極しますが、Ca2+oを1.8から0.5 mMに減少させると、IK(IR)の振幅が6.9±1.9%（n=4）増加します。Ca2+oとIK(IR)のブロック率の関係は、-120 mVでのKd値が5.4±0.6 mMを示します。4. IK(IR)は他の二価イオンでもブロックされ、Ba2+ >> Sr2+ > Mg2+ > Mn2+ = Ca2+という順位で、-120 mVでのピーク電流のブロックは50μMのBa2+で85.3±3.2%（n=5）、5 mMのSr2+で62.9±2.2%（n=5）、5 mMのMg2+で40.7±2.5%（n=9）、5 mMのMn2+で33.4±2.1%（n=5）、5 mMのCa2+で32.9±2.1%（n=5）です。5. Sr2+のピークIK(IR)ブロックに対する電圧依存性は、-140 mVでのKd値が1.0±0.09 mM、-130 mVで1.9±0.16 mM、-120 mVで3.1±0.28 mM、-110 mVで4.6±0.34 mM、-100 mVで6.4±0.5 mM（n=5）となり、外部からの電気的距離（デルタ）は0.44と計算されます。