高性能ストレッチ可能抵抗メモリデバイスのための有機‐無機ナノコンポジットフィルム

要約 高性能のストレッチ可能抵抗メモリデバイスのための互換性のある有機/無機ナノコンポジットフィルムが、酸化亜鉛（ZnO）ナノ粒子を用いたポリ（4‐ビニルピリジン）‐ブロック‐ポリ（プロピルメタクリレート）（P4VP‐b‐PPMA）によって実証されました。PPMAの柔らかいセグメントは、活性層の剛性を低下させるように設計されており、一方P4VPブロックは導電性フィラメントを誘発するための電荷捕捉成分として機能し、また水素結合を介して無機ナノ粒子との互換性のある部分を提供します。実験結果は、P4VP‐b‐PPMAベースの電気メモリデバイスが一度書き込み、何度も読み出し可能なメモリ動作を示し、安定したターンオン電圧（V set）が約−2.0 Vであり、最大60%のひずみにおいて安定したメモリ動作を示す、優れたON/OFF電流比10の5乗を超えています。一方、P4VP‐b‐PPMA/ZnOナノコンポジットフィルムはメモリ特性を動的ランダムアクセスメモリ動作に切り替えます。このナノコンポジットフィルムから製作されたストレッチ可能メモリデバイスは、40%のひずみを超えるストレッチ耐久性と最大1000回のサイクリングストレッチ‐リラクゼーションテストを持つことができます。この研究は、可変特性の電気的特性と強化された機械的特性を持つナノコンポジットフィルムを使用したストレッチ可能な電気デバイスのための新しい戦略を示しています。