有機電気燐光の過渡解析 II. 三重項-三重項消滅の過渡解析

前回の論文、Paper I Phys. Rev. B 62, 10 958 (2000) では、いくつかの燐光を発するゲスト-ホスト分子系におけるエキシトンの生成と拡散を研究しました。本論文では、高電流密度における有機発光デバイスの電気燐光強度の低下は、主に三重項-三重項消滅によることを示します。過渡燐光減衰から抽出したパラメータを用いて、電気燐光デバイスの量子効率と電流特性をモデル化します。短い励起状態寿命を持つ燐光体で観察された輝度の増加は、主に三重項-三重項消滅の減少によることがわかりました。また、三重項-三重項消滅が支配的となる限界電流密度 (J₀) の表現を導出します。J₀ の表現は、有用な燐光体を特定する基準を確立し、電気燐光分子およびデバイス構造の最適設計を支援することを可能にします。