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我々は、ダイヤモンド内の蛍光欠陥を取り込んだ微小およびナノ構造を製作する技術を、数百ナノメートルよりも高い位置決め精度で説明します。共焦点蛍光顕微鏡と集束イオンビームエッチングを用いて、まず、ダイヤモンド表面の登録マークに対して適切な欠陥を特定し、その後、これらの座標を用いて構造をエッチングします。この技術を、単一の負に荷電した窒素空孔欠陥がその起点に位置する直径8 μmの半球をエッチングすることによって実証します。製作前後の蛍光光子カウントレートの直接比較は、半球の存在により8倍の増加を示します。
Marseglia et al. (Mon,) はこの問題を調査しました。
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