強い相関を持つフェルミオンの電荷フラストレーションと量子臨界性

我々は、電荷フラストレーションと量子臨界的挙動を示す正方格子上の強く相関した電子のモデルを研究します。ポテンシャルは相互作用を超対称にするように調整されています。量子基底状態と正方格子上の特定のタイル配置とを関連付ける厳密な数学的結果を確立します。周期境界条件の場合、この関係は基底状態の数が系の線形次元に対して指数的に増加することを示唆します。開放境界条件の場合、系がギャップのないエッジモードを持つという substantial な解析的および数値的証拠を提示します。