In–Zn–OおよびAl–Sn–Zn–In–O薄膜トランジスタの欠陥およびチャージトラッピングメカニズム

アクティブマトリックス有機発光ダイオード（AMOLED）は、ウェアラブルやフレキシブルデバイスに使用できる次世代ディスプレイ技術のコアコンポーネントと見なされている。AMOLEDを駆動するためには、高い移動度を持つ信頼性の高い薄膜トランジスタ（TFT）が必要である。最近、非晶質酸化物TFTは、高い移動度のため、AMOLEDを駆動するための優れた代替品と見なされている。しかし、高移動度酸化物TFTのデバイス不安定性は、生産での使用において重要な問題のままである。本論文では、さまざまな界面IZO厚（0-6 nm）を持つIn-Zn-O (IZO)およびAlドープSn-Zn-In-O (ATZIO)を用いて、高移動度酸化物TFTのチャージトラッピングおよびデバイス不安定性メカニズムを提示する。これを目的として、マイクロ秒の高速電流-電圧（I-V）、単発I-V、一時的電流、放電電流分析を採用した。これらの交流デバイス特性評価手法により、さまざまなトラップパラメータおよび欠陥密度の抽出が可能になり、ダブルアクティブレイヤTFTにおける動的チャージ輸送の理解を深めることができる。結果は、欠陥サイトの数が界面IZO厚の増加に伴って減少することを示している。これらの結果から、界面IZO層がATZIO TFTにおけるチャージトラッピングの最小化に重要な役割を果たすことを結論付ける。