半導体におけるキャリア注入に対するトラップの影響

キャリアトラップが注入されたキャリアに対する半導体の挙動に与える影響を分析します。光伝導性と外部電場下での過剰キャリア濃度の広がりという2つの問題を考慮します。トラップされた少数キャリアが多数キャリア濃度の増加を引き起こし、光強度に対して非線形で非常に長い時間定数を持つ光伝導性の増加をもたらすことが示されています。これらの結論は最近の実験結果と一致しています。過剰キャリアのドリフトが扱われ、拡散は無視されます。過剰少数キャリアの時間および空間分布についての式が得られ、顕在ドリフト移動度に対するトラップの影響が議論されます。