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초록 다결정성 넓은 갭 Cu(In,Ga)Se2 (CIGSe) 흡수체는 광전지 탠덤 장치의 상위 셀에 대해 Ga/(Ga + In) (GGI) 비율이 > 0.5일 때 합성할 수 있다. 그러나 이러한 고-GGI 장치의 전력 변환 효율은 GGI 0.5를 가진 기록 셀보다 낮으며, 이는 이 조성 범위 내에서 CIGSe 흡수체의 낮은 대량 수명과 경계에서의 증가된 재결합 때문으로 설명될 수 있다.
Thomas et al. (Sat,)가 이 질문을 연구했다.