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초록 우리는 일반 미시 이론에서 유도된 후 표준 모델에 정착할 수 있는 모든 자기 단극자를 고려합니다. 이러한 단극자는 표준 모델의 양자 수를 가지며, 안정적이며, 이들의 자기 플럭스가 전자기 대칭 붕괴와 일치하는 것을 요구합니다. 이러한 단극자 위에서 쿼크, 렙톤 및 양성자와 관련된 산란 과정은 부분파 분해를 사용하여 연구됩니다. 가장 낮은 부분파에서 이러한 과정은 단극자 질량에 의해 억제되지 않으며, 단극자에 의한 양성자 붕괴 촉진과 관련이 있습니다. 우리는 산란 단면에 대한 추정치를 제공하고, 이러한 표준 모델 단극자에서의 산란 과정에 대한 비틀림 섹터 접근법의 적용 가능성을 조사하고 확인합니다. 우리는 SM 단극자 촉진 과정이 보편적이고 모델에 독립적임을 발견합니다.
발렌틴 V. 코제가 (금요일) 이 질문을 연구했습니다.
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