에피택시얼 Al-InAs 조셉슨 접합에서 초전도 다이오드 효과의 기호 변화

초록 최근 물질 시스템의 고유한 특성을 밝혀낼 가능성으로 인해 초전도 다이오드 효과(SDE)에 대한 관심이 급증하고 있다. 유한 자기장에서 SDE의 기호 변화는 이전에 다양한 메커니즘에 기인한 것으로 설명된 바 있다. 여기에서 우리는 강한 라쉬바 스핀-오빗 결합(SOC)을 가진 에피택시얼 Al-InAs 조셉슨 접합에서 SDE를 관찰한다. 우리는 이 효과가 평면 자기장 방향에 강하게 의존한다는 것을 보여준다. 강한 자기장 하에서 우리는 SDE의 기호 변화가 발생하는 것을 관찰한다. 초전류의 시뮬레이션 및 측정 결과에 따르면 초전도 폭 W S에 따라 이 기호 변화는 반드시 0-π 또는 위상 전이와 관련이 없을 수 있다. 우리는 좁은 W S를 가진 접합에서 기호 변화가 자기장 반전 하에서 임계 전류의 SOC 유도 비대칭성과 일치함을 발견했으며, 넓은 W S에서는 기호 역전이 0-π 전이 및 위상 초전도성과 관련이 있을 수 있다.