He2+−He 충돌에서의 단일 미분 연구

미분 ^3He^2+-He 산란 문제는 50--630 keV/u의 입사 에너지 범위에서 두 중첩 중심 파동 패킷 수렴 근접 결합 방법을 사용하여 조사됩니다. 현재의 두 전자 접근법은 반응 파편 간의 전자 교환을 고려하고 목표 구조를 처리하기 위해 구성 상호작용 방법을 사용합니다. 우리는 또한 효과적인 단일 전자 목표 설명에 기반한 더 단순한 방법을 적용합니다. 전자 캡처, 탄성 산란, 여기 및 이온화에 대한 단일 미분 단면적이 제시됩니다. 이 논문은 전자 캡처 및 탄성 산란 과정에 대한 하중 입사 에너지에서 전자-전자 상관의 중요성을 보여줍니다. 바닥 상태로의 전자 캡처에 대한 두 전자 결과는 모든 피사체 에너지에서 사용 가능한 실험 데이터를 매우 잘 설명하며, 효과적인 단일 전자 모델은 300 keV/u에서 시작하는 에너지에서 좋은 일치를 보입니다. 이온화의 경우, 모든 유형의 단일 미분 단면적에 대해 두 접근법 간의 좋은 수준의 일치를 관찰하며, 가능한 경우 실험 데이터와 잘 일치합니다. 또한, 바닥 상태 및 전체 전자 캡처에 대한 각도 미분 단면적이 62.5, 125, 187.5 및 250 keV/u의 피사체 에너지에서 ^4He^2+-He 충돌에 대해 제시됩니다. 각도 미분 탄성 산란 및 여기 단면적은 ^3He^2-He 충돌에 대한 해당 결과와 사실상 동일한 것으로 확인됩니다.