유기 반도체는 이러한 물질에서의 약한 스핀-궤도 상호작용과 하이퍼파인 상호작용 덕분에 긴 스핀 코히어런스 시간과 확산 길이를 제공합니다. 그러나 일반적으로 사용되는 수평 전계 효과 트랜지스터 구조에서는 스핀 확산 길이에 비례하는 장치 치수를 정의하는 것이 어렵습니다. 반면 소형 장치 치수를 제공하는 수직 구조는 수직 방향에서 낮은 캐리어 이동성으로 인해 문제에 직면해 있습니다. 여기에서는 공침착에 의해 C60F48로 도핑된 삼각형상 위상에서의 루브렌 얇은 필름에서의 스핀 완화에 대해 조사합니다. 도핑은 전하 캐리어를 생성하는 효율적인 방법을 제공하며, 이들의 높은 평면 외 이동성은 긴 스핀 확산을 향상시킬 것입니다. 전자 스핀 공명법을 사용하여 스핀 완화가 도핑된 카운터 이온과의 상호작용에 의해 지배된다는 것을 보여주고 스핀 확산 길이를 약 200nm로 추정합니다. 이는 필름 두께와 유사하여 이러한 도핑된 루브렌 필름이 스핀트로닉 장치 응용을 위한 매력적인 시스템이 될 수 있음을 시사합니다.
Wang et al. (Mon,)는 이 질문을 연구했습니다.
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