다양한 칩 기하학 및 구조를 가진 붉은 AlGaInP 기반 발광 다이오드의 광 출력 성능

우리는 칩 크기, p-클래딩 층 두께, 및 다중 양자 우물(MQWs)의 수에 따라 붉은 AlGaInP 발광 다이오드(LED)의 광학적 및 전기적 특성을 조사하였다. 외부 양자 효율(EQE)은 칩 크기가 감소함에 따라 감소하였다. 이상 계수는 칩 크기가 350 μm에서 15 μm로 감소함에 따라 1.47에서 1.95로 점진적으로 증가하였다. 이는 작은 LED가 측벽 결함에서 쇼클리-리드-홀 비방사 재결합으로 인해 더 큰 캐리어 손실을 겪음을 나타낸다. S 매개변수는 ∂lnL/∂lnI로 정의되며, 칩 크기가 감소함에 따라 증가하였다. 시뮬레이션과 실험 결과에 따르면 5 쌍의 MQWs를 가진 작은 LED는 20 쌍의 MQWs를 가진 LED보다 5 A/cm2에서 IQE가 30% 이상 높았다. 이러한 결과는 최대 EQE의 마이크로 LED를 얻기 위해 QWs 수의 최적화가 필요함을 보여준다.