첫 번째 원칙에 의한 다이아몬드 나노와이어의 열전도율

우리는 ab initio 계산을 사용하여 다이아몬드 나노와이어의 열전도율 ()을 조사하였으며, 이 시스템만의 독특한 특성을 드러냈습니다. Si와는 대조적으로 다이아몬드 나노와이어는 400 nm 두께에서도 300 K까지 온도에 따라 일관되게 증가하며, 실온에서의 크기 효과는 Si보다 더 강합니다. 결정 방향에 따라 의 명확한 의존성이 예측되며, 이는 실온에서도 명확하게 나타납니다. 001 성장 방향은 다이아몬드 나노와이어에서 항상 가장 큰 값을 가집니다. 예측된 특성은 나노 스케일 장치에서 열 흐름의 정밀한 제어를 위해 다이아몬드 나노와이어를 사용할 수 있는 잠재력을 나타냅니다.