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그래핀은 독특한 밴드 구조와 물리적 특성 덕분에 큰 관심을 받고 있습니다. 오늘날 그래핀은 주로 흑연을 박리하여 생산하기 때문에 작은 크기로 제한됩니다. 우리는 메탄을 이용한 화학 기상 증착을 통해 구리 기판 위에 센티미터 단위의 대면적 그래핀 필름을 성장시켰습니다. 이 필름은 대부분 단일층 그래핀으로 구성되어 있으며, 일부 영역(5% 미만)은 몇 개 층이 포함되어 있으며, 구리 표면의 단계 및 결정 경계를 따라 연속적입니다. 구리 내에서 탄소의 낮은 용해도는 이 성장 과정을 자가 제한적으로 만드는 데 도움이 되는 것으로 보입니다. 우리는 또한 임의의 기판에 그래핀 필름 전이 프로세스를 개발하였으며, 실리콘/실리콘 산화물 기판에 제작된 이중 게이트 전계 효과 트랜지스터는 실온에서 볼트당 초당 4050 제곱센티미터의 전자 이동도를 보여주었습니다.
Li et al. (금요일) 이 질문을 연구하였습니다.
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