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비대칭적 전송은 바이어스 극성에 민감한 전하 전이 과정을 의미합니다. 최근까지 비대칭적 전송은 저항이 비대칭량인 소산 시스템에서만 연구되었습니다. 그러나 최근의 실험들은 Rashba 초전도체에서 초전류 다이오드 효과의 관찰로 이어지는 비대칭적 초전류를 보여주었습니다. 여기서 우리는 짝수 및 홀수 층 수를 가진 NbSe₂ 조각을 패터닝하여 얻은 NbSe₂ 제약에서의 초전류 다이오드 효과에 대해 보고합니다. 관찰된 정류는 계곡-지멘 스핀-오르빗 상호작용의 결과입니다. 우리는 정류 효율이 60%에 달하며, Rashba 초전도체 기반 장치의 효율보다 상당히 크다는 것을 보여줍니다. 초전도 전이 금속 이황화물에 대한 최근 이론과 일치하게, 우리는 이 효과가 자기장의 면외 성분에 의해 구동된다는 것을 보여줍니다. 놀랍게도, 우리는 전류 방향에 수직인 추가적인 면내 자기장 성분이 존재할 때 이 효과가 자기장 비대칭이 된다는 것을 발견했습니다. 초전류 다이오드는 반드르 발스 재료가 제공하는 높은 통합성으로 초전도 양자 전자 공학을 설계하는 데 더 많은 자유도를 제공합니다.
Bauriedl et al. (Sat,)는 이 질문을 연구했습니다.