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우리는 이중 장벽 구조를 통한 단일 채널 상호작용 전자 기체의 공명 터널링을 연구한다. 비상호작용 전자 기체와는 달리, 낮은 온도에서 온도와 무관한 로렌츠 선형 특성을 지닌 공명을 보이는 비상호작용 전자 기체와는 극명한 대조를 이루며, 반발 상호작용이 존재하는 경우 공명의 폭이 T0에서 사라지는 것을 발견했다. 또한 낮은 온도에서 공명 선형 형태는 보편적인 스케일링 함수에 의해 결정되며, 멱법칙이지만 비로렌츠형 꼬리를 가진다. 이러한 예측은 게이트된 GaAs의 단일 채널 와이어에서 실험적으로 확인할 수 있어야 한다.
Kane et al. (Tue,)은 이 질문을 연구했다.
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