리뷰—실리콘 나이트라이드 및 실리콘 나이트라이드-풍부한 얇은 필름 기술: 최첨단 가공 기술, 특성 및 응용

실리콘 나이트라이드 얇은 필름 재료 시스템에 대한 관심이 학계와 산업계 모두에서 계속 높아지고 있습니다. 이는 매우 바람직한 물리적, 화학적, 전기적 특성과 새로운 장치 기술을 가능하게 할 잠재성 때문입니다. 여기서 고려되는 실리콘 나이트라이드 재료 시스템은 비수소화형(SiN x) 및 수소화형(SiN x :H) 실리콘 나이트라이드, 그리고 C 포함으로 정의된 실리콘 나이트라이드 풍부한 필름(SiN x (C) 및 SiN x :H(C) 형태)을 포함합니다. 이러한 재료에 대한 높은 관심으로 인해 이 기사는 저자들의 이전 출판물인 A. E. Kaloyeros, F. A. Jové, J. Goff, B. Arkles의 '실리콘 나이트라이드 및 실리콘 나이트라이드-풍부한 얇은 필름 기술: 증착 기술 및 관련 응용의 동향', ECS J. Solid State Sci. Technol., 6, 691 (2017)를 기반으로 하여 2016년 말까지의 실리콘 나이트라이드 연구 및 개발(R&D)의 동향을 요약하는 후속 기사로 의도되었습니다. 이 조사에서는 2017년부터 2019년까지 Si 및 N 원천 화학, 기상 성장 과정, 필름 특성 및 신흥 응용 분야, 특히 센서, 생체 인터페이스 및 포토닉스를 포함한 이종 장치 분야에서의 최첨단 성과 및 혁신에 중점을 두고 있습니다.