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단결정 다이아몬드 (100)의 전자 친화도 (EA)는 일 함수와 광 방출 실험의 조합에 의해 수소 및 산소 피복의 함수로 결정된다. 완전히 수소화된 (100) - (21): H 표면에서는 EA가 -1.3 eV로 얻어졌고, 산화된 표면 C (100) - (11): O에서는 +1.7 eV가 얻어진다. 이들은 지금까지 보고된 다이아몬드 표면에서 각각 가장 낮고 높은 전자 친화도이다. O 및 H 피복에 따른 변화는 고농도 흡착물의 경우 탈극화를 적절히 고려하면 간단한 쌍극자 모델로 잘 설명된다. 이 분석은 C (100)에서 산소의 다리 위치(에테르와 유사)를 선호한다. H 및 O 흡착제를 미세한 수준에서 혼합함으로써 C (100)의 EA는 극한 값들 사이에서 3 eV 범위 내에서 마음대로 조정할 수 있으며, H 또는 O 종결로 인한 다이아몬드 표면의 화학적 패시베이션을 위험에 빠뜨리지 않는다.
Maier et al. (Fri,)는 이 질문을 연구하였다.