고온 전자-포논 초전도체로서 도핑된 그래프란의 첫 원리 예측

우리는 첫 원리 계산을 통해 p-도핑된 그래프란이 액체 질소의 끓는점 이상에서의 임계 온도를 가진 전자-포논 초전도체임을 예측합니다. 탄소 원자 간의 화학 결합의 독특한 강도와 차원 축소에서 발생하는 페르미 에너지에서의 전자 상태 밀도가 광학 포논 분산에서 거대한 콘(anomaly)을 초래하고, 초전도 임계 온도를 90 K 이상으로 끌어올립니다. 최근 그래프란의 증거가 보고되었고, 그래핀, 다이아몬드 및 탄소 나노구조와 같은 관련 물질의 도핑이 잘 확립되어 있으므로, 초전도 그래프란의 가능성이 존재할 수 있습니다.