고농도 도핑된 n형 게르마늄의 특성

n형 게르마늄의 전기적 및 광학적 특성이 5×10^18 cm−3를 초과하는 도핑 수준에 대해 연구되었다. 홀 계수 및 저항 측정 결과, 전자 이동도 μ는 도핑제로 사용된 특정 그룹 V 도너에 따라 달라지며, 주어진 캐리어 농도에서 μAsμPμSb 순서로 증가한다. 비소로 매우 강하게 도핑된 재료에서는 비소의 큰 비율이 전기적으로 비활성인 것으로 나타났다. 이 재료의 급속한 급냉은 더 큰 캐리어 농도와 결정 성장 매개변수와의 더 나은 상관관계를 초래했다. 분배 계수는 용매 증발 기법으로 성장한 안티모니 도핑 결정에 대한 전기적 측정을 통해 계산되었다. 이러한 결정에 대해 유의미한 ``면 효과''는 관찰되지 않았다. 2에서 24 μ 사이의 반사율 측정을 통해 전자 효율 질량을 캐리어 농도의 함수로 유도하였다. 연구된 캐리어 농도 범위(최대 8×10^19 cm−3)에서 효율 질량은 아주 약간만 증가하며 특정 도핑제와는 독립적이다. 자유 캐리어 흡수는 도핑제에 따라 다르다. 흡수 및 전기적 데이터는 기본 전도 이론을 이용하여 상관관계가 있다.