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교류가 적용된 수송 전류 또는 자기장 하에서 제2세대(2G) 고온 초전도(HTS) 테이프의 스택을 모델링하기 위한 동질화 방법이 개발되었습니다. 이 아이디어는 내부 절연체, 금속, 초전도체 및 기판 층의 교류 구조의 기하학적 배치가 '세탁' 되면서 원래 스택의 전반적인 전자기적 거동을 유지하도록 스택에 대한 비등방성 벌크 동등물 찾는 것입니다. 우리는 임계 지역의 형태에 대한 가정을 무시하고, 초임계 전류 밀도를 고려할 수 있도록 하는 전압-전류 관계의 멱법칙을 사용합니다. 본 방법은 실제 스택의 치수를 고려한 전체 2D 시뮬레이션과 비교할 때 최대 2개의 차수까지의 계산 속도 향상을 가능하게 하며, 정확성을 저해하지 않습니다.
Zermeño 외 (Sat,)는 이 질문을 연구했습니다.
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