(Ga,Mn)As: GaAs를 기반으로 한 새로운 희석 자기 반도체

가막대 계면 에피택시를 통해 새로운 GaAs 기반의 희석 자기 반도체인 (Ga,Mn)As가 준비되었다. (Ga,Mn)As 필름의 격자 상수는 X선 회절에 의해 측정되었으며, Mn 조성인 x의 증가와 함께 증가하는 것으로 나타났다. 자기화 측정을 통해 잘 정렬된 평면 내 강자성 정렬이 관찰되었다. 자력 수송 측정에서는 (Ga,Mn)As 층에서 비정상적인 홀 효과가 발생함을 밝혀냈다.