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이 논문은 128 x 128 픽셀 CMOS 비전 센서에 대해 설명합니다. 각 픽셀은 독립적으로 연속 시간에서 지역 상대 강도 변화를 양자화하여 스파이크 이벤트를 생성합니다. 이러한 이벤트는 센서 출력에서 비동기식 디지털 픽셀 주소 흐름으로 나타납니다. 이 주소-이벤트는 장면 반사율 변화를 나타내며 서브 밀리초 타이밍 정밀도를 갖습니다. 출력 데이터 전송 속도는 장면의 동적 내용에 따라 달라지며, 일반적으로 기존 프레임 기반 이미징 장치의 속도에 비해 몇 배 낮습니다. 능동적인 연속 시간 전면 로그 포토 수신기와 자기 타이밍 전환 커패시터 차등 회로를 결합하여, 센서는 상대 강도 이벤트 임계값에서 2.1%의 배열 불일치와 1 klux 장면 조명 하에서 3 kHz의 픽셀 대역폭을 달성합니다. 동적 범위는 > 120 dB이며 칩 전력 소모는 23 mW입니다. 이벤트 지연 시간은 약한 빛 의존성을 보여주며, > 1 klux 픽셀 조명에서 최소 15 μs입니다. 이 센서는 0.35 μm 4M2P 공정으로 제작되었습니다. 40 x 40 μm 2 픽셀을 가지며 채움 계수는 9.4%입니다. 높은 픽셀 대역폭, 넓은 동적 범위, 정밀하게 타이밍된 희소 디지털 출력을 제공함으로써, 이 실리콘 망막은 저지연 동적 비전 요구의 제어되지 않은 조명 하에서 매력적인 특성의 조합을 제공합니다.
Lichtsteiner et al. (화요일,)은 이 질문을 연구했습니다.
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