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우리는 금속-반도체-금속 ZnO 마이크로/나노와이어 포토디텍터의 반응도에 대한 압전 효과를 입증합니다. 와이어에 -0.36% 압축 변형을 주었을 때, 포토디텍터의 반응도가 각각 4.1 pW, 120.0 pW, 4.1 nW 및 180.4 nW UV 빛 조명에 의해 각각 530%, 190%, 9% 및 15% 향상되었습니다. 이는 생성된 로컬 압전 전위에 의해 접촉 지점에서 쇼트키 장벽 높이를 효과적으로 조절하였습니다. 변형 및 여기광 강도의 조정을 통한 쇼트키 장벽 높이 변화에 대한 체계적인 연구 후, 압전, 광학 및 반도체 특성의 결합에 대한 물리적 메커니즘에 대해 심층적인 이해를 제공합니다. 우리의 결과는 압전 광전효과가 pW 수준의 빛 감지에서 감지 민감도를 5배 이상 향상시킬 수 있음을 보여줍니다.
Yang 외. (Mon,)은 이 질문을 연구했습니다.
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