비정질 Ge2Sb2Te5의 중간 격차 결함의 본질 밝혀내기

, 신뢰할 수 있는 통계를 얻기 위해. 하이브리드 밀도 함수 이론을 사용하여 중간 격차 상태의 기하학적 및 전자 구조를 식별하고 특성화합니다. 5배위 Ge 원자는 이러한 전자 상태의 주된 원인인 국소 결함 결합 환경입니다. 중간 격차 상태의 국소화 구조 모티프는 비정질 네트워크 내의 결정질 같은 원자 환경입니다. 추가 전자가 이러한 중간 격차 상태에 의해 자발적으로 포획되어 밴드 갭에 깊은 함정을 생성합니다. 이 결과는 다단계 저장 메모리 장치 설계를 합리화하는 데 도움을 줄 수 있는 중요한 통찰력을 제공합니다.