March 15, 1975
View Full Paper삼각형 및 비정질 셀레늄과 텔루륨의 전자 구조
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Abstract
삼각형 및 비정질 셀레늄과 텔루륨의 전자 구조는 경험적 유사 잠재력 방법(EPM), 전하 밀도 계산 및 간단한 타이트 바인딩 모델을 사용하여 조사된다. 밴드 구조와 전자 상태 밀도가 얻어지며, 이는 최근의 광전압 측정 결과와 훌륭한 일치를 보인다. 타이트 바인딩 모델은 에너지 밴드에 대한 분석적 표현을 얻고 EPM 밴드 구조를 실공간에서의 오르빗-오르빗 상호작용 측면에서 해석하는 데 사용된다. 에너지 함수로서 얻어진 전하 밀도 계산은 특정 에너지 구간 내에서 평가되어 상태 밀도의 다양한 구조를 해석하는 데 사용된다. 특히 실험적 광전압 스펙트럼에서 쉽게 분해 가능한 특정 피크는 각각 사슬 내 및 사슬 간 국소화된 상태와 관련이 있다. 전하 밀도의 짧은 파장 성분만을 취함으로써 결합 전하를 정의할 수 있으며, 이는 사슬 내 및 사슬 간 결합 강도의 추정을 제공한다. 삼각형 결과와 결합 각 변동이 사슬에 미치는 영향 및 여덟 개 및 여섯 개의 결합 고리가 존재하는 경우를 조사하기 위한 모델 계산이 비정질 셀레늄과 텔루륨의 실험적 스펙트럼에서 관찰된 변화를 해석하는 데 사용된다. 비정질 셀레늄의 새로운 모델이 제안된다.