비선형 CMOS 칩에서의 고스펙트로-시간 압축

광 펄스는 본질적으로 그들의 시간적 및 스펙트럼적 특성에 의해 정의됩니다. 펄스 특성을 제어할 수 있는 능력은 실무자가 이를 효율적으로 활용하여 고급 계측, 고속 광 통신 및 아토초 과학을 가능하게 합니다. 여기에서 우리는 13.3 W의 낮은 전력으로 5.8 ps 펄스를 0.55 ps로 11배 시간 압축한 결과를 보고합니다. 이 결과는 펄스 피크 전력이 9.4배 증가한 것과 함께 나타납니다. 이러한 결과는 현재까지 보완형 금속-산화물 반도체(CMOS) 칩에서 입증된 가장 강력한 시간 압축을 나타냅니다. 또한, 우리는 펄스 에너지를 보존하면서, 480 fs 펄스의 3.0배 스펙트럼 압축을 온칩 스펙트럼 압축의 첫 번째 시연을 보고합니다. 낮은 전력에서 달성된 강력한 압축은 고급 온칩 장치 설계와 두광자 흡수의 부재 및 비화학량론적 실리콘 질화물 파장유도체보다 500배 더 큰 비선형 매개변수를 지닌 초 실리콘 풍부 질화물의 강력한 비선형 특성을 활용합니다. 입증된 작업은 모든-optical 펄스 제어를 위한 턴키 온칩 통합 시스템을 향한 광 펄스의 스펙트로-시간 압축에 대한 중요한 새로운 패러다임을 도입합니다.