그래핀 수정 인터페이스가 Ta/TaOx 기반 멤리스티브 장치에서 VCM에서 ECM 스위칭 모드로의 전환을 조절한다

그래핀으로 전극-고체-전해질 인터페이스를 수정함으로써, Ta(C)/Ta2 O5 /Pt 셀에서 원주 변화 기억장치(VCM)에서 전기화학 금속화 기억장치(ECM)로의 전환이 실증되었으며, 두 메커니즘을 연결합니다. ECM 작동은 TaOx 내 Ta-양이온 이동성을 고려하여 논의됩니다. 저항 스위칭 과정에서 전기화학적 과정과 수분의 중요한 역할도 강조됩니다.