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균열이 있는 Sb 소스와 성장 후 어닐링 절차를 사용하면 분자선 증착법으로 성장한 GaInSb/InAs 슈퍼격자의 광학 효율이 크게 향상되는 것으로 나타났습니다. 실온에서 5 μm 대역 간 발광이 관찰되었으며, 광 펌프 구조에서 3.2 μm에서의 자극 방출이 입증되었습니다. 이 유형의 슈퍼격자의 고유한 특성은 비교적 높은 온도에서 작동하는 효율적인 적외선 레이저로의 응용을 선호합니다.
Miles 외 (Mon,)은 이 질문을 연구했습니다.