근본적으로 높은 내부 양자 효율과 높은 열안정성을 가진 broadband 단파 적외선 방출 MgGa2O4:Cr3+, Ni2+ 인광체의 다이오드 응용을 위한 연구

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Abstract

상업용 450 nm 블루 LED 칩과 인광체를 사용하여 150 mA 입력 전류에서 최대 SWIR 방사 전력을 14.9 mW로 제공하는 연구입니다. 이 연구는 변환 기술을 사용하는 고출력 broadband SWIR 방출기 개발의 가능성을 보여줄 뿐만 아니라 SWIR 기술의 중요성에 대한 새로운 통찰을 제공합니다.

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근본적으로 높은 내부 양자 효율과 높은 열안정성을 가진 broadband 단파 적외선 방출 MgGa2O4:Cr3+, Ni2+ 인광체의 다이오드 응용을 위한 연구

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