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공진 터널링은 이중 장벽 다이오드에서 부정 차 저항을 초래하는 것으로 알려져 있습니다. 순차 터널링은 S. Luryi Appl. Phys. Lett. 47, 490 (1985)에 의해 관측된 부정 차 저항을 위한 대안 메커니즘으로 제안되었습니다. 우리는 두 해석이 직류 전류에 대해 동일한 예측을 가져온다는 것을 보여줍니다.
Weil et al. (Mon,)은 이 질문을 연구했습니다.