단순 유체에서의 과잉 전자. I. 고전적 경硬 구형 용매를 위한 일반 평형 이론

이 논문에서는 단순 유체에서의 과잉 전자에 대한 이론을 개발합니다. 이는 양자 이론의 경로적분 공식화에 기초하여 전자의 행동을 고전적인 동형 고분자의 행동에 맵핑합니다. 영향을 미치는 기능적, 즉 고분자의 서로 다른 사이트 사이의 용매 유도 포텐셜은 RISM 적분 방정식에서 추정됩니다. 기능적은 쌍 decomposable하지 않으며, 결과적으로 고분자 문제는 해결하기가 쉽지 않습니다. 전자 분배 함수와 상관 함수의 평가에는 두 가지 근사가 추구됩니다: (i) 고분자 변동이 용매 유도 상호작용에 미치는 역할을 무시하는 평균장 근사; (ii) 고분자 구조 자체의 큰 변동을 무시하는 선형 근사인 폴라론 근사. 이 이론은 유체에서 다입자 상관 함수의 계산에 대한 새로운 접근법을 제시하며, 고분자 환경 내에서의 고분자 형태 분석을 포함한 여러 다른 문제를 해결하기 위한 실용적인 방안을 제공합니다. 이 논문은 이러한 시스템에서 포장력의 역할에 초점을 맞추고 있지만, 이 이론은 편광과 전하 상호작용도 포함하도록 일반화될 수 있습니다.