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초록 전극 물질에 양이온 결핍과 같은 원자 수준의 결함을 도입하는 것은 이들의 전기화학적 에너지 저장 성능을 개선하는 효과적인 전략으로 간주된다. 실제로 양이온 결핍은 호스트 물질의 전자적 특성을 효과적으로 조절할 수 있어, 전하 이동 및 산화환원 반응 동역학을 촉진한다. 이러한 결함은 삽입된 양성자 또는 알카리 양이온에 대한 추가 호스트 사이트 역할을 할 수 있어, 전기화학적 사이클링 시 이온 확산을 용이하게 한다. 이 모든 특성은 전기화학적 성능 개선에 기여할 수 있다. 이 리뷰에서는 양이온 결핍 기반의 전기화학적 에너지 저장 물질에 대한 최신 진행 상황을, 양이온 결핍을 도입하기 위한 합성 접근법과 이러한 결함을 특성화하고 그 기초적 역할을 식별하기 위한 고급 기술을 화학 및 재료 관점에서 제공한다. 또한 양이온 결핍 기반의 전기화학적 에너지 저장 물질에 대한 주요 도전 과제와 미래 기회를 논의하며, 특히 양이온 결핍 전이 금속 산화물(TMO)에 초점을 맞추고, 전이 금속 카바이드(MXenes)와 같은 새롭게 떠오르는 물질도 포함한다.
Gao et al. (금,)은 이 질문을 연구했다.