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본 논문은 1 /spl mu/ 정도 크기의 치수를 사용하여 디지털 집적 회로에 적합한 매우 작은 Mosfet 스위칭 장치의 설계, 제작 및 특성 평가를 다룬다. 기존 MOSFET을 어떻게 크기 축소할 수 있는지를 보여주는 스케일링 관계를 제시한다. 이온 주입을 사용하여 얕은 소스 및 드레인 영역과 비균일한 기판 도핑 프로파일을 제공하는 개선된 소형 장치 구조를 제시한다. 일차원 모델을 사용하여 기판 도핑 프로파일과 대응하는 소스 전압 대비 문턱 전압 특성을 예측한다. 이차원 전류 수송 모델을 통해 다양한 장치 매개변수 조합에 따른 단거리 채널 효과의 상대적 정도를 예측한다. 채널 길이가 0.5 /spl mu/에 이르는 폴리실리콘 게이트 MOSFET이 제작되었고, 장치 특성이 측정되어 예측 값과 비교되었다. 이러한 매우 작은 장치를 활용한 고도 미니어처화된 집적 회로에서 기대되는 성능 향상을 전망한다.
Dennard 등(Tue,)이 이 문제를 연구하였다.