단일 자성 원자 속으로의 터널링: 곤도 공명의 분광학적 증거

곤도 효과는 호스트 금속의 전자와 자성 불순물 간의 양자역학적 상호작용에서 발생하며, 자성 불순물 주위에서 지역 전하 및 스핀 변화를 초래할 것으로 예측됩니다. 저온 주사 터널링 현미경을 사용하여 곤도 효과를 나타내는 개별 자성 원자의 전자적 특성을 공간적으로 분해하였습니다. 금 표면의 개별 코발트 원자에 대해 수행된 분광측정은 곤도 불순물의 예측된 반응인 곤도 공명으로 확인되는 에너지가 좁은 특징을 보여줍니다. 곤도 공명의 예상치 못한 구조는 금속 호스트 내의 자성 원자로 전자가 터널링할 때 d 오르빗과 전도 전자 채널 간의 양자역학적 간섭에서 발생하는 것으로 나타났습니다.