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밀리미터파 위성 통신 시스템을 위한 고신뢰성 믹서 다이오드를 생산하기 위해 사용된 제작 및 패키징 기술이 1mm에서 0.1mm 범위의 서브밀리미터파 영역에서 사용할 쇼트키 장벽 믹서 다이오드를 생산하기 위해 확장되었습니다. 서브밀리미터파 영역에서 헤테로다인 탐지기로서 쇼트키 장벽 다이오드의 성능에 대한 재료 및 회로 매개변수의 영향을 고려했습니다. 반도체 재료 매개변수는 최적화되었으며, 새로운 패키징 개념이 연구되었습니다. 0.05mm 두께의 석영에서 통합 스트립라인 필터와 과잉 모드 전송선의 섹션을 포함하는 새로운 다이오드 패키지가 개발되었습니다. 새로운 패키지는 믹서 회로에서 교체 가능한 장점이 있으며, 다이오드 패키지와 믹서 회로 사이에 낮은 손실 인터페이스를 제공할 수 있습니다. 쇼트키 장벽에 대한 접촉이 오믹 접촉과 동일한 표면에 포토리소그래픽 기술에 의해 형성되는 새로운 표면 지향 장치가 개발되었습니다. 이 표면 지향 장치는 서브밀리미터 지역에서 헤테로다인 탐지를 나타냈습니다.
B. J. 클리프턴 (수요일)이 이 질문을 연구했습니다.