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신속한 중 이온 조사에 의해 생성된 결함이 심층 수준 과도 스펙트로스코피를 사용하여 n형 게르마늄에서 실온에서 연구되었다. 조사 후 몇 가지 전자 트랩이 관찰되었다. 해당 에너지는 Ec−0.22, Ec−0.275, Ec−0.29, Ec−0.32 및 Ec−0.465 eV로 결정되었다. 이러한 트랩의 등온 어닐링 거동은 실온과 200 °C 사이에서 상세히 연구되었다. 우리 결과를 이전에 발표된 결과와 비교함으로써 이러한 결함을 이중 공극이나 불순물과의 결합체와 같은 복합체로 식별할 수 있었다.
Marié et al. (목요일,)이 이 질문을 연구하였다.