Key points are not available for this paper at this time.
검색 및 논리 기능을 제공하는 4+2T SRAM이 제안된다. 이 셀은 N-well을 쓰기 워드라인(WL)으로 사용하고 액세스 트랜지스터를 제거한다. 분리된 읽기 경로는 인메모리 불리언 논리 함수에 대한 신뢰할 수 있는 다중 워드 활성화를 가능하게 한다. SRAM은 검색 작업을 위해 BCAM/TCAM으로 재구성할 수 있으며, 0.35V에서 0.13fJ/search/bit의 효율을 보인다. 55nm 깊이 고갈 채널(DDC) 기술로 제작된 40개의 테스트 칩은 최악의 경우 0.3 V VDDmin을 달성한다.
Dong 외 (목요일)는 이 질문을 연구했다.