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우리는 rf 구속 필드로 인한 2차 도플러 효과에 대한 민감도를 줄이면서 대량의 이온 저장을 허용하는 새로운 선형 이온 트랩을 설계했습니다. 이 새로운 트랩은 기존의 rf 트랩보다 약 20배 많은 수의 이온을 저장할 수 있으며, 구속 필드로부터의 2차 도플러 이동 또한 증가하지 않습니다. 또한 이 이동은 구속 매개변수, 즉 rf 전압, rf 주파수 및 트랩 크기에 대한 민감도가 크게 줄어듭니다.
Prestage et al. (Tue,)는 이 질문을 연구했습니다.
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